Учёные НГУ разрабатывают новые материалы для создания элементов памяти будущего

Учёные НГУ разрабатывают новые материалы для создания элементов памяти будущего

Как сообщает пресс-служба НГУ, научные сотрудники Аналитического и технологического исследовательского центра Высокие технологии и наноструктурированные материалы Физического факультета НГУ изучили механизм переноса заряда в структурах металл-диэлектрик-проводник на основе германо-силикатных стёкол смеси оксида кремния и оксида германия. Научная группа занимается их исследованием уже более пяти лет и первой в мире обнаружила в этих материалах мемристорный эффект или эффект памяти.

Оксид кремния имеет более стабильную структуру, а оксид германия делает перемещение электрического заряда более лёгким. Исследователи создали плёнки с разными пропорциями этих оксидов и провели эксперименты, изучая, как ток проходит через них при разных температурах. Результаты их работы опубликованы в высокорейтинговом научном журнале Applied Physics Letters.

Исследование имеет ценность не только для фундаментальной науки, но также поможет получить более совершенные элементы памяти, превосходящие привычную нам флеш-память по количеству циклов перезаписи, долговечности, эффективности и надёжности.